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招生年份:2023 | 本院系招生人數(shù): 未公布 | 集成電路工程(專碩)專業(yè)招生人數(shù): 13 | 專業(yè)代碼 : 085403 |
研究方向 |
085403 集成電路工程 (全日制10,非全3) 更多研究方向 | ||
考試科目 |
①101思想政治理論 ②201英語(yǔ)(一) ③301數(shù)學(xué)(一) ④882半導(dǎo)體物理與器件 更多考試科目信息 | ||
初試 |
882半導(dǎo)體物理與器件
考試內(nèi)容 1. 半導(dǎo)體中的電子狀態(tài):半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu)與化學(xué)鍵性質(zhì);半導(dǎo)體中電子狀態(tài)與能帶;電子的運(yùn)動(dòng)與有效質(zhì)量;空穴和回旋共振;元素半導(dǎo)體和典型化合物半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)。 2. 半導(dǎo)體中雜質(zhì)和缺陷能級(jí):元素半導(dǎo)體中的雜質(zhì)能級(jí);化合物半導(dǎo)體中的雜質(zhì)能級(jí)、位錯(cuò)和缺陷能級(jí)。 3. 半導(dǎo)體中載流子的統(tǒng)計(jì)分布:狀態(tài)密度及Fermi能級(jí);載流子統(tǒng)計(jì)分布;本征和雜質(zhì)半導(dǎo)體的載流子濃度;補(bǔ)償半導(dǎo)體的載流子濃度;簡(jiǎn)并半導(dǎo)體的定義。 4. 半導(dǎo)體的導(dǎo)電性:載流子的漂移運(yùn)動(dòng);遷移率及載流子的散射;遷移率與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系;電阻率與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系;強(qiáng)場(chǎng)效應(yīng)與熱載流子。 5. 非平衡載流子:非平衡載流子的產(chǎn)生與復(fù)合;非平衡載流子壽命;準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí);復(fù)合理論及陷阱效應(yīng);非平衡載流子的擴(kuò)散與漂移;愛(ài)因斯坦關(guān)系及連續(xù)性方程。 6. pn結(jié)理論:空間電荷區(qū)的形成;不同偏壓下的pn結(jié)能帶圖及參數(shù)變化;內(nèi)建電勢(shì)差、勢(shì)壘電容的定義;單邊突變結(jié)的特性與屬性。 7. pn結(jié)二極管基本工作原理:理想pn結(jié)電流-電壓關(guān)系;不同偏壓下的pn結(jié)電荷流動(dòng)機(jī)制;空間電荷區(qū)邊緣少子濃度的邊緣條件;短二極管及擴(kuò)散電容;產(chǎn)生與符合電流;雪崩擊穿機(jī)制。 8. 金-半異質(zhì)結(jié):肖特基勢(shì)壘二極管在不同偏壓下的能帶圖;肖特基勢(shì)壘二極管的原理;歐姆接觸及隧道效應(yīng);二維電子氣的定義。 9. 雙極晶體管基本工作原理:雙極晶體管的基本結(jié)構(gòu)、原理及少數(shù)載流子分布;低頻電流增益和非理想效應(yīng);雙極晶體管的等效電路模型;頻率特性和開(kāi)關(guān)特性。 10. 金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)結(jié)構(gòu)物理基礎(chǔ):MOS結(jié)構(gòu)的物理性質(zhì);能帶結(jié)構(gòu)與空間電荷區(qū);平帶電壓與閾值電壓;電容電壓特性。 11. MOSFET基本工作原理:MOSFET基本結(jié)構(gòu);MOSFET電流電壓關(guān)系;襯底偏置效應(yīng);MOSFET的頻率特性;閂鎖現(xiàn)象。 12. MOSFET器件的深入概念:MOSFET中的非理想效應(yīng);MOSFET的按比例縮小理論;小尺寸器件的閾值電壓;MOSFET器件的擊穿特性。 13. 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管基本工作原理:JFET和MESFET的基本工作原理;內(nèi)建夾斷電壓和夾斷電壓的定義;JFET非理想效應(yīng); 更多初試參考書(shū)目信息 |
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復(fù)試科目 |
復(fù)試科目:電路與系統(tǒng)設(shè)計(jì)或集成電路設(shè)計(jì) 更多復(fù)試科目信息 | ||
同等學(xué)力 |
同等學(xué)力加試科目:
信號(hào)與系統(tǒng)、電路基礎(chǔ)、模擬電子技術(shù)、數(shù)字電子技術(shù)四門中任選初試未考過(guò)的兩門 更多同等學(xué)力加試科目 |
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題型結(jié)構(gòu) |
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資料說(shuō)明 |
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復(fù)試 |
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